High Speed Signal

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1)布局: (1) NAND 应靠近主控摆放; (2)去耦电容均靠近 NAND 摆放; (3) RE、 WE、 DQS 信号串接电阻靠近主控摆放,串阻与主控连接走线距离≤300mil; 2) 信号线走线要求: (1) NAND 与主控走线间走线≤2000mil; (2) 走线阻抗 50 欧; (3)线间距≥2 倍线宽; (4) D0~D7、 RE、 WE 相对于 DQS 做等长,控制≤300mil; (5) D0~D7 上使用过孔的数量尽量相同; (6)务必保证走线参考平面完整; (7)走线尽量避开高频信号; (8) VCC/VCCQ 线宽不小于 12mil,或直接使用敷铜代替电源走线;电源线上如有过孔,则过孔数量不少于 2 个,避免过孔限流影响供电;